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        LED照明迎來新增長 芯片原材料鎵和銦金屬受益

        時間:2014-06-03    來源:峨嵋半導體材料研究所    點擊次數:     字體:【大】 【中】 【小】    打印本頁

            發布來源:峨嵋半導體材料研究所 發布時間:2014-1-07
            出自:中國半導體行業協會網站
            LED是發光二極管(LightEmittingDiode)的英文縮寫,它是利用固體半導體芯片作為發光材料的一種半導體電子元件,被譽為“21世紀新固體光源時代的革命性技術”。相比白熾燈、節能燈等傳統照明產品而言,其節能、環保、壽命長、瞬時啟動、高顯色等優點得到了全世界的普遍認可。無論從節約電能、降低溫室氣體排放的角度,還是從減少環境污染的角度,LED作為新型照明光源都具有替代傳統照明光源的極大潛力,各國也掀起了推廣LED照明的浪潮。
          日本、美國、歐盟、韓國等國相繼推出國家半導體照明計劃,早在1998年日本就率先展開“21世紀照明”計劃,美國聯邦政府在2002年也啟動了“國家半導體照明研究計劃”即“下一代照明計劃(NGLl)”,力推LED照明。歐盟的“彩虹計劃”也2000年7月啟動,委托6個大公司、2所大學,通過歐盟的補助金來推廣白光發光二極管的應用歐。同時韓國在2004-2008年也投入1億美元,實施“固態照明計劃”。中國也在2012年印發了《半導體照明科技發展“十二五”專項規劃》,提出到“十二五”末發光二極管(LED)在通用照明市場占有率達到30%,形成5000億元產業規模的目標。
          剛剛過去的2013年是我國LED行業快速發展的一年,根據CSA產研部的統計,2013年我國半導體照明應用領域的整體規模已經達2068億元,同比增長36%。其中通用照明市場產值696億元,增長率最高達65%,占LED應用市場的份額也由2012年的28%增加到2013年的34%;由于平板電腦的需求推動以及LED背光液晶電視的滲透率繼續提高,背光應用也保持了較快增長,增長率約35%,產值達到390億元。此外,LED汽車照明、醫療、農業等新興照明領域的應用也增長明顯,增長幅度超過25%,同時光通訊、可穿戴電子以及在航天航空等領域的應用也是2013年LED應用的亮點。
          LED的核心材料是鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)、銦的化合物制成的半導體芯片的發光材料。目前,基于寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)和銦氮化稼(InGaN)的是最具有商業應用價值的LED燈材料之一。2013年,我國芯片環節產值達到105億元,增幅31.5%;產量增幅更是高達61%,其中GaN芯片的產量占比達65%,而以InGaAlP芯片為主的四元系芯片的產量占比為25%,GaAs等其他芯片占比為10%左右。
          據專家預測,2014年我國LED行業將延續2013年上升勢頭,迎來新一輪的增長,預計增長率將達到40%左右。全球LED照明的快速發展,必將會帶動鎵和銦等半導體金屬需求的快速增長,也會帶動越來越多的企業和個人關注銦和鎵等稀有金屬。作為全球銦、鎵等稀有金屬交易量和庫存量最大的現貨交易所,泛亞有色金屬交易所在稀有金屬行業內的優勢地位也會逐漸凸顯。
         

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